火狐体育首页进入:器（激光二极管）

　　半导体激光器是选用半导体激光二极管发生激光的器材，是老练较早、开展较快的一类激光器。进入八十年代，人们吸收了半导体物理开展的最新作用，选用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技能，一起还开展了MBE、MOCVD及CBE等晶体成长技能新工艺，使得新的外延成长工艺能够精确地控制晶体成长，抵达原子层厚度的精度，成长出优质量子阱以及应变量子阱资料。所以，制造出的LD，其阈值电流显着下降，转化功率大幅度进步，输出功率成倍增长，运用寿数也显着加长。

　　半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激起，在1970年完结室温下接连输出。后来经过改进，开宣布双异质接合型激光及条纹型结构的激光二极管（Laser diode）等，广泛运用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是现在出产量最大的激光器。

　　激光二极体的长处是功率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的功率有20~40%，P-N型也抵达数%~25%，总而言之能量功率高是其最大特征。别的，它的接连输出波长涵盖了红外线到可见光规模，而光脉冲输出达50W（带宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激起光源可说是十分简略运用的激光的比如。

　　半导体激光器是以必定的半导体资料做作业物质而发生受激起射作用的器材.其作业原理是,经过必定的鼓励办法,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或许半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,完结非平衡载流子的粒子数回转,当处于粒子数回转状况的许多电子与空穴复合时,便发生受激起射作用.半导体激光器的鼓励办法首要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束鼓励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等资料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行鼓励,在结平面区域发生受激起射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做作业物。

　　以其他激光器宣布的激光作光泵鼓励.高能电子束鼓励式半导体激光器,一般也是用N型或许P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做作业物质,经过由外部注入高能电子束进行鼓励.在半导体激光器材中,现在功用较好,使用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。

　　半导体激光器作业原理是鼓励办法，使用半导体物质(既使用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面构成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振动、反应、发生光的辐射扩大，输出激光。

　　半导体激光器激光器长处是体积小，重量轻，作业牢靠，耗电少，功率高档特色。

　　半导体激光器封装技能大都是在分立器材封装技能根底上开展与演化而来的，但却有很大的特殊性。一般状况下，分立器材的管芯被密封在封装体内，封装的作用首要是维护管芯和完结电气互连。而半导体激光器封装则是完结输出电信号，维护管芯正常作业，输出：可见光的功用，既有电参数，又有光参数的规划及技能要求，无法简略地将分立器材的封装用于半导体激光器。

　　半导体激光器的中心发光部分是由P型和N型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少量载流子与大都载流子复合时，就会宣布可见光，紫外光或近红外光。但pn结区宣布的光子对错定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因而，并不是管芯发生的一切光都能够释放出来，这首要取决于半导体资料质量、管芯结构及几许形状、封装内部结构与包封资料，使用要求进步半导体激光器的内、外部量子功率。惯例Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极经过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极经过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是搜集管芯周围面、界面宣布的光，向希望的方向角内发射。

　　顶部包封的环氧树脂做成必定形状，有这样几种作用：维护管芯等不受外界腐蚀；选用不同的形状和资料性质(掺或不掺散色剂)，起透镜或漫射透镜功用，控制光的发散角；管芯折射率与空气折射率相关太大，致使管芯内部的全反射临界角很小，其有源层发生的光只要小部分被取出，大部分易在管芯内部经屡次反射而被吸收，易发生全反射导致过多光丢失，选用相应折射率的环氧树脂作过渡，进步管芯的光出射功率。

　　用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性，绝缘性，机械强度，对管芯宣布光的折射率和透射率高。挑选不同折射率的封装资料，封装几许形状对光子逸出功率的影响是不同的，发光强度的角散布也与管芯结构、光输出办法、封装透镜所用原料和形状有关。若选用尖形树脂透镜，可使光会集到半导体激光器的轴线方向，相应的视角较小；假如顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。

　　一般状况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之添加，影响色彩艳丽度。别的，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区发生温升，在室温邻近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地削减1％左右，封装散热；时坚持色纯度与发光强度十分重要，以往多选用削减其驱动电流的办法，下降结温，大都半导体激光器的驱动电流约束在20mA左右。可是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而添加。

　　现在，许多功率型半导体激光器的驱动电流能够抵达70mA、100mA甚至1A级，需求改进封装结构，全新的半导体激光器封装规划理念和低热阻封装结构及技能，改进热特性。例如，选用大面积芯片倒装结构，选用导热功用好的银胶，增大金属支架的外表积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等办法。此外，在使用规划中，PCB线路板等的热规划、导热功用也十分重要。

　　进入21世纪后，半导体激光器的高效化、超高亮度化、全色化不断开展立异，红、橙半导体激光器光效已抵达100Im／W，绿半导体激光器为501m／W，单只半导体激光器的光通量也抵达数十Im。半导体激光器芯片和封装不再沿龚传统的规划理念与制造出产方式，在添加芯片的光输出方面，研发不只仅限于改动资料内杂质数量，晶格缺点和位错来进步内部功率，一起，怎么改进管芯及封装内部结构，增强半导体激光器内部发生光子出射的几率，进步光效，处理散热，取光和热沉优化规划，改进光学功用，加快外表贴装化SMD进程更是产业界研发的干流方向。

　　用于信息技能范畴的小功率LD开展极快。例如用于光纤通信及光交流体系的散布反应(DFB)和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技能范畴的可见光波长(如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光)LD、量子阱面发射激光器以及超短脉冲LD等都得到实质性开展。这些器材的开展特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。

　　1983年，波长800nm的单个LD输出功率已超越100mW，到了1989年，0.1mm条宽的LD则抵达3.7W的接连输出，而1cm线年，美国人又把目标进步到一个新水平：1cm线阵LD接连波输出功率达121W，转化功率为45%。现在，输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。高功率、高功率LD及其列阵的敏捷开展也为全固化激光器，亦即半导体激光泵浦(LDP)的固体激光器的迅猛开展供给了强有力的条件。

　　近年来，为习惯EDFA和EDFL等需求，波长980nm的大功率LD也有很大开展。最近合作光纤Bragg光栅作选频滤波，大幅度改进其输出安稳性，泵浦功率也得到有用进步。

　　半导体物理学的敏捷开展及随之而来的晶体管的创造，使科学家们早在50年代就幻想创造半导体激光器，60年代前期，许多小组竞相进行这方面的研讨。在理论剖析方面，以莫斯科列别捷夫物理研讨所的尼古拉·巴索夫的作业最为出色。

　　在1962年7月举行的固体器材研讨世界会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓资料的光发射现象，这引起通用电气研讨实验室工程师哈尔（Hall）的极大爱好，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔当即拟定了研发半导体激光器的方案，并与其他研讨人员一道，经数周斗争，他们的方案取得成功。

　　像晶体二极管相同，半导体激光器也以资料的p-n结特性为根底，且外观亦与前者相似，因而，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。

　　前期的激光二极管有许多实践约束，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲作业，过了8年多时刻，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研讨所制造出能在室温下作业的接连器材。而满意牢靠的半导体激光器则直到70年代中期才呈现。

　　半导体激光器体积十分小，最小的只要米粒那样大。作业波长依赖于激光资料，一般为0.6～1.55微米，因为多种使用的需求，更短波长的器材在开展中。据报道，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为作业物质的激光器，低温下已得到0.46微米的输出，而波长0.50～0.51微米的室温接连器材输出功率已达10毫瓦以上。但迄今没有完结商品化。

　　光纤通信是半导体激光可预见的最重要的使用范畴，一方面是世界规模的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种区域网。后者包含高速计算机网、航空电子体系、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就现在而言，激光唱机是这类器材的最大商场。其他使用包含高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗使用等。

　　20世纪60年代初期的半导体激光器是同质结型激光器，它是在一种资料上制造的pn结二极管在正向大电流注人下，电子不断地向p区注人，空穴不断地向n区注人.所以，在本来的pn结耗尽区内完结了载流子散布的回转，因为电子的搬迁速度比空穴的搬迁速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在必定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲方式作业的半导体激光器.

　　半导体激光器开展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体资料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最早呈现的是单异质结构激光器(1969年).单异质结注人型激光器(SHLD)是使用异质结供给的势垒把注入电子约束在GaAsP一N结的P区之内，以此来下降阀值电流密度，其数值比同质结激光器下降了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下接连作业.

　　1970年，完结了激光波长为9000.室温接连作业的双异质结GaAs-GaAlAs(砷化稼一稼铝砷)激光器.双异质结激光器(DHL)的诞生使可用波段不断拓展，线宽和调谐功用逐步进步，其结构的特色是在P型和n型资料之间成长了仅有0.2Eam厚的，不掺杂的，具有较窄能隙资料的一个薄层，因而注人的载流子被约束在该区域内(有源区)，因而注人较少的电流就能够完结载流子数的回转.在半导体激光器材中，现在比较老练、功用较好、使用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs二极管激光器.

　　跟着异质结激光器的研讨开展，人们想到假如将超薄膜(20nm)的半导体层作为激光器的激括层，以致于能够发生量子效应，作用会是怎么样?再加之因为MBE,MOCVD技能的作用，所以，在1978年呈现了世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，它大幅度地进步了半导体激光器的各种功用.后来，又因为MOCVD,MBE成长技能的老练，能成长出高质量超精密薄层资料，之后，便成功地研宣布了功用愈加杰出的量子阱激光器，量子阱半导体激光器与双异质结(DH)激光器比较，具有阑值电流低、输出功率高，频率呼应好，光谱线窄和温度安稳性好和较高的电光转化功率等许多长处.

　　QWL在结构上的特色是它的有源区是由多个或单个阱宽约为100人的势阱所组成，因为势阱宽度小于资猜中电子的德布罗意波的波长，发生了量子效应，接连的能带分裂为子能级.因而，特别有利于载流子的有用填充，所需求的激射阅值电流特别低.半导体激光器的结构中使用的首要是单、多量子阱，单量子阱(SQW)激光器的结构基本上便是把一般双异质结(DH)激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器。

　　一般把势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构称为多量子阱(MQW).量子阱激光器单个输出功率现已大于1w，接受的功率密度已达lOMW/cm3以上[c)而为了得到更大的输出功率，一般能够把许多单个半导体激光器组合在一起构成半导体激光器列阵。因而，量子阱激光器当选用阵列式集成结构时，输出功率则可抵达l00w以上.近年来，高功率半导体激光器(特别是阵列器材)飞速开展，现已推出的产品有接连输出功率5,1ow,20w和30W的激光器阵列.脉冲作业的半导体激光器峰值输出功率50w.20W和1500W的阵列也现已商品化.一个4.5cmx9cm的二维阵列，其峰值输出功率现已超越45kW.峰值输出功率为350kW的二维阵列也已间世[3]

　　从20世纪70年代末开端，半导体激光器显着向着两个方向开展，一类是以传递信息为意图的信息型激光器.另一类是以进步光功率为意图的功率型激光器.在泵浦固体激光器等使用的推进下，高功率半导体激光器(接连输出功率在100，以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器)在20世纪90年代取得了突破性开展，其标志是半导体激光器的输出功率显着添加，国外千瓦级的高功率半导体激光器现已商品化，国内样品器材输出已抵达600W[61.假如从激光波段的被扩展的视点来看，先是红外半导体激光器，接着是670nm红光半导体激光器许多进入使用。

　　接着，波长为650nm,635nm的面世，蓝绿光、蓝光半导体激光器也相继研发成功，10mw量级的紫光甚至紫外光半导体激光器，也在赶紧研发中[a}为习惯各种使用而开展起来的半导体激光器还有可调谐半导体激光器，‘’电子束鼓励半导体激光器以及作为“集成光路”的最好光源的散布反应激光器(DFB一LD)，散布布喇格反射式激光器(DBR一LD)和集成双波导激光器.别的，还有高功率无铝激光器(从半导体激光器中除掉铝，以取得更高输出功率，更长寿数和更低造价的管子)、中红外半导体激光器和量子级联激光器等等.其间，可调谐半导体激光器是经过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改动激光的波长，能够很方便地对输出光束进行调制.散布反应(DF式半导体激光器是随同光纤通信和集成光学回路的开展而呈现的，它于1991年研发成功。

　　散布反应式半导体激光器彻底完结了单纵模运作，在相干技能范畴中又拓荒了巨大的使用远景它是一种无腔行波激光器，激光振动是由周期结构(或衍射光栅)构成光藕合供给的，不再由解理面构成的谐振腔来供给反应，长处是易于取得单模单频输出，简略与纤维光缆、调制器等辆合，特别适合作集成光路的光源.

　　单极性注人的半导体激光器是使用在导带内(或价带内)子能级间的热电子光跃迁以完结受激光发射，天然要使导带和价带内存在子能级或子能带，这就有必要选用量子阱结构.单极性注人激光器能取得大的光功率输出，是一种商功率和超商速呼应的半导体激光器，并对开展硅基激光器及短波激光器很有利.量子级联激光器的创造大大简化了在中红外到远红外这样宽波长规模内发生特定波长激光的途径.它只用同一种资料，依据层的厚度不同就能得到上述波长规模内的各种波长的激光。

　　同传统半导体激光器比较，这种激光器不需冷却体系，能够在室温下安稳操作.低维(量子线和量子点)激光器的研讨开展也很快，日本okayama的GaInAsP/Inp长波长量子线(Qw+)激光器已做到9OkCW作业条件下Im=6.A,l=37A/cm2并有很高的量子功率.很多科研单位正在研发自拼装量子点(QD)激光器，现在该QDLD已具有了高密度，高均匀性和高发射功率[U1.因为实践需求，半导体激光器的开展首要是围绕着下降阔值电流密度、延伸作业寿数、完结室温接连作业，以及取得单模、单频、窄线宽和开展各种不同激射波长的器材进行的.

　　20世纪90年代呈现并特别值得一提的是面发射激光器(SEL)，早在1977年，人们就提出了所谓的面发射激光器，并于1979年做出了第一个器材，1987年做出了用光泵浦的780nm的面发射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面发射激光器在室温下抵达亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转化功率[2)前面谈到的半导体激光器，从腔体结构上来说，不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(散布布拉格反射式)腔，激光输出都是在水平方向，统称为水平腔结构。

　　它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下外表镀上反射膜构成了笔直方向的F一p腔，光输出沿着笔直于衬底片的方向宣布，笔直腔面发射半导体激光器(VCSELS)是一种新式的量子阱激光器，它的激射阔值电流低，输出光的方向性好，藕合功率高，经过阵列化散布能得到适当强的光功率输出，笔直腔面发射激光器已完结了作业温度最高达71`C。

　　别的，笔直腔面发射激光器还具有两个不安稳的相互笔直的偏振横模输出，即x模和y模，现在对偏振开关和偏振双稳特性的研讨也进入到了一个新阶段，人们能够经过改动光反应、光电反应、光注入、注入电流等等要素完结对偏振态的控制，在光开关和光逻辑器材范畴取得新的开展。20世纪90年代末，面发射激光器和笔直腔面发射激光器得到了敏捷的开展，且已考虑了在超并行光电子学中的多种使用.980mn,850nm和780nm的器材在光学体系中现已实用化。

　　现在，笔直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络[21为了满意21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需求，半导体激光器的开展趋势首要在高速宽带LD、大功率ID,短波长LD,盆子线和量子点激光器、中红外LD等方面.现在，在这些方面取得了一系列严重的作用。

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　　道格拉斯，又叫奥萨马·达格里斯(Osama Daghlas)，现役约旦男篮主力后卫。

　　认知是大脑的高档神经功用，是指人们取得常识和运用常识的进程，或是信息加工的进程。在一般心理学中，认知进程指人脑经过感觉、感觉、回忆、思想、幻想等方式反映客观目标的性质及目标间联系的进程。人的认知进程是一个十分复杂的进程，指人知道客观事物的进程，便是对信息进行加工处理的进程，是人由外至内，由现象到本质地反映客观事物特征与内在联系的心理活动。它由人的感觉、感觉、回忆、思想和幻想等认知要素组成。

　　11月1日是阳历一年中的第305天（闰年第306天），离全年的完毕还有60天。1520年这一天葡萄牙探险家麦哲伦带领的船队抵达麦哲伦海峡，成为第一批来到的欧洲人。1948年——发布《惩办战争罪犯指令》。

　　商业信誉证是商业银行给客户供给信誉，使其取得资金以购买货品的凭据。在国内交易上，购货商进货后，卖方可在信誉证规则金额内支取货款。在世界交易上是银行应进口商的恳求，向出口商签发的由银行承当付款职责的确保文件。商业信誉证是不依附于交易合同的独立文件，事务处理以单据而不以货品为准。商业信誉证品种繁复，依据其用处和运用办法等不同状况，可分为跟单信誉证、光票信誉证、可吊销与不行吊销信誉证、保兑与不保兑信誉证、即期和远期信誉证等。

　　高伟，1964年8月生，辽宁铁岭人，1987年7月参加作业，1984年11月参加我国，大学学历，硕士学位。

　　心因性失忆症（psychogenic amnesia），是一种挑选性的失常忘记现象，简称失忆症（amnesia）。是指患者对新近严重事情（如伤口、丧亲）因震慑过大不堪回首而发生部分性挑选性忘记，或暂时性（一般1至2天，或更久）将回忆解离，使其不呈现在认识中。损失回忆的部分一般以事情为起点，称为前行性失忆（Anterograde Amnesia）这与因车祸而损失回忆的不同在於，心因性失忆症常是对同段时刻内的回忆，有挑选性的忘记，并且可藉催眠康复。

　　通榆河坐落江苏沿海区域，是南北运送的“黄金水道”，大体与串场河平行，归于3级航道，已成为继京杭运河之后贯穿江苏省的第二条南北走向的千吨级水运大通道。首要连接了南通、如皋、海安、东台、大丰、盐城、建湖、阜宁、沿海、响水、灌南、灌云、连云港和赣榆等城市。