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　　半导体激光器是用半导体作为作业物质的激光器。与固体激光器不同之点在于发生激光的不是少量杂质离子，而是半导体作业物质自身。

　　【半导体激光器】（semiconductor laser）用半导体作为作业物质的激光器。与固体激光器不同之点在于发生激光的不是少量杂质离子，而是半导体作业物质自身。在外界泵浦下，使半导体中的电子由价带（低能量态）跳过禁带（电子不存在的能态）激发到导带（高能量态），我界鼓励超越激光阈值后，在导带和价带之间的电子数散布构成回转，然后构成激光。其鼓励方法有P－N结注入（电鼓励）、电子束鼓励、光鼓励以及雪崩击穿等几种。现在，比较老练使用较广的是砷化爆（GaAs）P－N结注入式激光器。结的两个端面磨成平方外表以构成诸振腔的反射镜，当P－N给通以大电流时，就有激光发射出来。

　　和其它激光器比较，半导体激光器的首要特点是：（1）体积小，重量轻8（2）功率转化效率高；（3）有些半导体激光器能够经过温度、掺杂量、磁场、压力的操控，完成输出激光波长的调谐（4）输出功率小；（5）激光发散角大，单色性和相干性都较差；（6）输出特性受温度影响显着，除砷化嫁激光器外，大多数半导体激光器均须在低温冷却下作业。半导体激光器的输出波长散布在紫外到红外区之间，它们首要用于光通信和测距等方面。