火狐体育首页进入:40年ALD积淀助力超越摩尔思锐智能完成第一阶段发展布局

　　是半导体和超越摩尔领域制造工艺的4大关键技术。在新晶圆产线%的投资用于购买设备，薄膜沉积设备更是占据其中约25%的比重。业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积(ALD)、物理式真空镀膜(PVD)和化学式真空镀膜(CVD)等。其中ALD属于CVD的一种，是当下最先进的薄膜沉积技术。调查研究机构GIR相关报告表明，全球原子层沉积(ALD)设备的市场规模在2021-2026年的年复合增长率预计达到25.1%，将从2019年的10.661亿美元增至2026年的26.129亿美元。

　　“专注ALD创新、助力超越摩尔“，2021年5月，ALD设备和服务提供商——青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称思锐智能或SRII）与国家智能传感器创新中心（以下简称国创中心或NISIC）的战略合作签约仪式在上海真正开始启动，思锐智能总经理聂翔先生、国创中心副总裁焦继伟博士代表出席现场签约。双方向与会人员表示，此次战略合作将面向超越摩尔领域，基于原子层沉积（ALD）技术开展MEMS、CMOS图像传感器等重要领域的联合研发，携手深度合作，致力于加速超越摩尔领域的产业落地与技术创新。

　　聂翔先生表示：“以上海为代表的长三角地区是中国半导体产业的高地，国创中心也是中国超越摩尔领域首屈一指的领导者机构。借力思锐智能旗下BENEQ公司近40年ALD技术的研发经验以及世界一流的ALD设备和解决方案，双方深度合作，将共同组建超越摩尔领域的技术中心和产业化中心，以开放包容的机制为行业提供全面、系统的技术解决方案，一起推进超越摩尔领域的产业化与创新化发展。”其中，思锐智能的8”ALD设备已经在国创中心的超越摩尔研发中试线上成功装备，对标国家战略性新兴起的产业的发展需求。

　　焦继伟博士表示：“国创中心与思锐智能的战略合作将以ALD设备和技术作为起点和支点，未来在制造设备的本土化，包括半导体的新材料、MEMS新工艺，以及ALD人工智能、互联网新应用等方向进行探索。此次签约仪式标志着双方合作跨上新的台阶，我们期待双方以及更多产业伙伴在超越摩尔的赛道上携手前进，一起发展。”

　　ALD技术成“首选”，BENEQ TransformTM 突破产能效率边界和性能新高度

　　事实上，随着新材料、新制程、新工艺在新兴半导体制造业的应用与发展，ALD技术能使得材料以单原子膜（0.1nm）形式沉积在基板表面的特性，在沉积层的厚度控制、3D异形材料表面均匀度、表面无针孔、折射率等方面具有非常明显优势，因此非常适合于MEMS、CMOS图像传感器等产品的制造与生产，并慢慢的变成为超越摩尔领域的镀膜沉积技术首选。

　　图3：思锐智能旗下BENEQ公司半导体业务负责人Patrick Rabinzohn远程连线阐述ALD在超越摩尔领域的应用案例

　　对此，思锐智能全资子公司——BENEQ全新推出的TransformTM 系列设备是专为超越摩尔应用市场提供的具有竞争力的ALD解决方案。TransformTM 平台采用了全新的集群设计和尖端的镀膜沉积技术，可以为8”及以下晶圆的表面沉积多种材料，包括Al2O3、SiO2、AlN、TiN等氧化物与氮化物，并实现完全保形和高均匀性的薄膜沉积。

　　BENEQ半导体业务负责人Patrick Rabinzohn 表示：“TransformTM 平台兼容单片、批量、热法以及等离子体等功能，是目前业界仅有、集多项功能于一体的通用型先进平台。不仅如此，TransformTM 平台更具备灵活配置的优势，客户能根据自身需求，选择‘3组ALD模块 + 预加热模块’构建TransformTM的标准配置 、或‘2组ALD模块 + 预加热模块’构建TransformTM Lite的简化配置，实现差异化、更具效益的生产和管理方式，并在主流厂商中开拓了意向订单。”

　　以镀膜沉积50纳米的氧化铝为例，若采用标准配置的TransformTM系统，最多的产量能够达到每小时40片晶圆以上，即使Lite设备也能达到每小时25片以上，这于整个行业对ALD的传统认知可谓颠覆性的技术突破！

　　据Patrick介绍，BENEQ TransformTM 平台已经通过SEMI S2/S8认证，支持SECS/GEM标准，并逐渐向12”晶圆的成熟沉积技术迈进，将为客户提供了灵活、可靠、高产能的半导体晶圆镀膜量产解决方案。

　　除了纵向的技术、性能、产能突破，凭借BENEQ先进的通用型ALD技术，思锐智能正在拓展更多前沿垂直行业的应用创新。

　　在远程连线芬兰专家另一场演讲中，BENEQ半导体业务首席技术官Alexander Perros介绍道：“BENEQ通用型ALD技术的超越摩尔应用矩阵十分丰富，包括功率器件、滤波器、MEMS和CIS等。同时，BENEQ针对不一样的细分市场推出了不同的ALD解决方案，最重要的包含高K介电质、表面钝化、ALD成核层、化学阻挡层、防潮层以及抗反射膜等等。“ 例如，表面钝化，可以用不同ALD材料来实现表面钝化，防潮层则在封装上发挥关键作用；这些均在广泛的应用中具备很强的通用性。

　　总结而言，ALD是传统半导体制程所需的先进的技术之一，也是新兴半导体、泛半导体和以光学镀膜为代表的非半导体行业发展的关键技术。思锐智能正通过提供尖端、创新、灵活的ALD设备和服务解决方案，致力于变成全球一流的ALD设备和服务供应商。

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　　国际研究暨顾问机构Gartner发布最终统计结果，2013年全球半导体封测（SATS）市场产值总计251亿美元，较2012年成长2.3%。 Gartner研究副总裁Jim Walker表示，2013年半导体封测市场成长较预期缓慢，日圆兑美元贬值使日本半导体封测厂商营收较2012年大幅衰退，进而影响市场整体成长率。 另外，DRAM记忆体厂商提高内部产能的使用率，使2013年产能运用更紧密、加上利用率提升，进而降低委外需求，使半导体封测市场营收下滑；再者，PC市场持续疲弱与消费端整体需求低迷同样为该市场成长迟缓的原因，需求不振亦导致厂商产能利用率偏低，使许多更成熟的封装技术供过于求。 此外，研究之后发现领先的半导体封

　　前言 随着对环境和空气质量状况慢慢的变多的关注，要解决减少车辆二氧化碳气体排放的问题。解决此问题最好的办法是降低车辆的平均油耗。使用混合动力汽车，而不是纯内燃机(ICE)动力汽车，是减少油耗的一种新方法。 在所有道路车辆中，牵引动力系统一定要能在很宽广的功率和速度(通常被称为转矩-速度范围)条件下运行，混合动力系统的使用支持系统模块设计人员在不同的转矩-速度范围点上自由地优化两个电源。此电源可提供有益于加速的非常大的扭矩，但它只能在有限的时间内使用。具体时间取决于电池的大小和电机的输出转矩。有了高扭矩产生电源，可大大缩小内燃机尺寸，来提升燃油能效。然而，增加这种混合动力源当然并非是微不足道的工程问题，需要一种方法，包括影响

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　　半导体业已经迈入14nm制程，2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说，传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm，这在某种程度上预示着如果EUV技术再次推迟应用，到2015年制程将暂时在10nm徘徊。除非等到EUV技术成熟，制程才能再继续缩小下去。依目前的态势，即便EUV成功也顶多还有两个台阶可上，即7nm或者5nm。因为按理论测算，在5nm时可能器件已达到物理极限。 工艺尺寸缩小仅是手段之一，不是最终目标。众所周知，推动市场进步的是终端电子科技类产品的市场需求，向着更小、更轻、更低成本、更易使用的方向迈进。IDC于今年发布的关于2020年时全球智能设备的预测多个方面数据显示，一是网络使用人数将达4

　　2015年是全球企业并购大年。据咨询机构DealogiC统计，2015年全球公司并购交易总额约4.35万亿美元，超过2007年的约4.12万亿美元，时隔八年刷新历史纪录。在此背景下，全球半导体企业掀起了足以撼动整个产业格局的并购潮。 2014年全球半导体行业的并购交易总额为380亿美元，而今年截至目前已达1200亿美元之多，增幅超过200%。其中，安华高科技公司以370亿美元现金加股票的方式收购博通，为年内金额最大单笔并购交易。此外，英特尔斥资167亿美元将阿尔特拉收入囊中，荷兰恩智浦“迎娶”飞思卡尔，德国英飞凌买下美国的国际整流器公司，安森美并购飞兆，高通吃掉了CSR……国际半导体市场并购大战此起彼伏。 国内一些半

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