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　　半导体激光器作业原理及根本结构半导体激光器作业原理及根本结构作业原理分类资料及器材结构半导体激光器作业原理半导体激光器作业原理半导体激光器是一种在电流注入下可以宣布相干辐射光相位相同波长基木相同强度较人的光电子器材半导体激光器作业原理半导体激光器作业原理作业三要素受激光辐射谐振腔增益人于等于损耗自发光辐射和受激光辐射门发光辐身寸发光二极管自发光辐射和受激光辐射当给器材加正向偏压时区向区注入电子区向区注入空穴在激活区电子和空穴自发地复合构成电子空穴对舟剩余的能量以光子的方式开释开来所发射的光子相位

　　半导体激光器作业原理及根本结构 半导体激光器作业原理及根本结构 ■作业原理 -分类 ■资料及器材结构 半导体激光器作业原理 半导体激光器作业原理 ■半导体激光器 是一种在电流注入下可以宣布相干辐射光（相位相同、 波长基木相同、强度较人）的光电子器材。 半导体激光器作业原理 半导体激光器作业原理 ■作业三要素： 受激光辐射、谐振腔、增益人于等于损耗。 自发光辐射和受激光辐射门发光辐身寸（发光二极管） 自发光辐射和受激光辐射 当给器材加正向偏压时，n区向P区注入电子，P区向n区注入空 穴，在激活区电子和空穴自发地复合构成电子-空穴对，舟剩余 的能量以光子的方式开释开来，所发射的光子相位和方向各不相 同，这种辐射叫做自发辐射。 ■受激光辐射（半导体激光器） 法勺j里■珀罗谐振腔（构成相于光）在资料设计时，考虑将P区和n区重掺杂等工艺，使得辐射光严 格在pn 法勺j里■珀罗谐振腔（构成相于光） ■垂直于结面的两个平行的晶体解理面构成法布里-珀罗 谐振腔，两个解理面是谐振腔的反射镜面。在两个端 面上别离镀上高反膜和增透膜,能大大的提高激射功率. ■ 必定波长的受澈光辐射在谐振腔内构成振动的条件： 腔长=半波长的整数倍 L=m（A/2n） 增益和阈值电流 增益和阈值电流 增益：在注入电流的效果下，激活区受激辐射不断增 强。 损耗：受激辐射在谐振腔中来回反射时的能量损耗。 包含载流子吸收、缺点散射及端面透射损耗等。 阈值电流：增益等于损耗时的注入电流。 半导体激光器的分类（资料和波长） 半导体激光器的分类（资料和波长） ■对见光： ■对见光： InGaN/ GaAs InGaAIP/GaAs AIGaAs/GaAs .近红外长波长: AIGaAs/GaAs InGaAs/GaAs .远红外长波长: InGaAsP/In P GaAs衬底 480~490nm 雉绿光 630~680nm 720~760nm GaAs衬底 7

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