火狐体育首页进入:半导体激光器作业原理及根本结构ppt

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　　近红外长波长： GaAs衬底 AlGaAs/GaAs 760~900nm InGaAs/GaAs 980nm

　　选用MOCVD办法制备外延层，外延层包含缓冲层、约束层、有源层、顶层、帽层。有源层包含上下波导层和量子阱。

　　有源层的带隙比P型和N型约束层的小，折射率比它们大，因而由P面和N面注入的空穴和电子会约束在有源区中，它们复合发生的光波又能有效地约束在波导层中。大幅度的提升了辐射效率。

　　最上面的一层资料（帽层）选用高掺杂，载流子浓度高，意图是为了与P面金属电极构成更好的欧姆触摸，下降欧姆触摸电阻。

　　大片工艺包含：资料顶层光刻腐蚀出条形、氧化层制备光刻、P面和N面电极制备、衬底减薄。

　　条形结构：在平行于结平面方向上也期望同笔直方向相同对载流子和光波进行约束，因而引进了条形结构。

　　1. 使注入电流约束在条形有源区内，约束载流子的侧向分散， 使 阈值电流下降；

　　2. 有源区作业时发生的热量能经过周围四个方向的无源区传递而逸散，进步器材的散热功能；

　　从对平行于结平面方向的载流子和光波约束状况可分为增益波导条形激光器(一般条形)和折射率波导条形激光器(埋葬条形、脊形波导)。

　　特色：只对注入电流的侧向扩展和注入载流子的侧向分散有约束效果，对光波侧向浸透没有约束效果。

　　咱们的808大功率激光器归于这种结构：把p+重掺杂层光刻成条形，约束电流从条形部分流入。但是在有源区的侧向仍是相同的资料，折射率是相同的，对光场的侧向浸透没有约束效果，形成远场双峰或多峰、光斑不均匀，一起阈值高、光谱宽、多纵摸作业，有时会呈现扭折问题。

　　特色：不仅对注入电流的侧向扩展和注入载流子的侧向分散有约束效果，并且对光波侧向浸透也有约束效果。

　　InP衬底的1310nm 、1480nm激光器归于这种结构，需求三次外延成长。此结构的长处：条形有源区的侧向对载流子和光场都有约束，辐射光丝安稳，可以单膜作业，远场单峰、光斑均匀，光谱窄、阈值低、可靠性高。