火狐体育首页进入:第三代半导体_范畴

　　据媒体报道，我国正在制定在十四五规划期间的第三代半导体开展方案，估计该方案在 2020年10月发布。

　　等这个方案一宣告，到时，第三代半导体概念的相关企业将是风口上的又一批会飞的猪。

　　榜首代半导体资料是以硅（Si）和锗（Ge）为代表，现在大部分半导体是依据硅基的。

　　第二代半导体资料是以砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）为代表，是 4G 年代的大部分通讯设备的资料。

　　第三代半导体资料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表，是5G年代的首要资料。

　　相较于榜首、二代半导体，第三代半导体具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频范畴将代替前两代半导体资料。

　　换个说法，也便是第三代半导体具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电功能强、作业速度快、作业损耗低一级功能优势。

　　三代半导体资料之间的首要区别是禁带宽度。第三代半导体的禁带宽度是榜首代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率才能。

　　1）III族氮化物，典型代表GaN，在军事范畴GaN 基微波功率器用于雷达、电子对抗、导弹和无线通讯通；在民用商业范畴用于基站、卫星通讯、有线电视、手机充电器等小家电。

　　2）SiC，民用范畴电动轿车、消费电子、新能源、轨道交通等范畴的直流、沟通输变电、温度检测操控等。军用范畴用于喷气发动机、坦克发动机、舰艇发动机、风洞、航天器外壳的温度、压力测验等。

　　3）宽禁带氧化物，典型代表氧化锌 ZnO，用于压力传感器、回忆存储器、柔性电子器材，现在技能和运用不成熟，首要产品有发光二极管、激光、纳米发电机、纳米线晶体管、紫外探测器等。

　　4）金刚石，用于光电子、生物医学、航空航天、核能等范畴的大功率红外激光器探测器，技能和运用还在开发中。

　　一是光电子范畴，首要运用于激光显现、环境检测、紫外光源、半导体照明、可见光通讯、医疗健康等；

　　二是电力电子范畴，首要运用于工业机电、新能源并网、轨道交通、电动轿车、智能电网、消费电子等；

　　未来几年SiC商场将获益轿车电动化、电动轿车配套设备建造、5G基站及数据中心建造。燃油车转向电动车，功率半导体用量剧增。轿车运用是功率半导体商场增加最快的细分斱向。除此之外，充电站、充电桩需求也将提高。据ResearchAndMarkets猜测，到2023年，全球SiC商场的收入将达30亿美元，意味着 2019-2023年的复合年增加率达 25.4％。

　　此外，依据Yole数据，到2024年SiC功率半导体商场规模将增加至20亿美元，其间，轿车商场占SiC功率半导体商场比重到2024年估计将达50%。

　　GaN商场方面，曩昔一直在国防运用中运用的依据GaN 的产品现已用于有线电视传输、商业无线基础设施、电力电子和卫星商场。GaN现在被用于5G有源天线体系（AAS）和手机功率放大器（PA）等新产品中。Yole 猜测，整个GaN射频商场将完成 12％复合年增加率，从2019年的7.4亿美元增加到 2025年的逾20亿美元。

　　依据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体陈述》，到2020年末，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入估计8.54亿美元。未来十年的年均两位数增加率，到2029年将超越50亿美元。

　　国内基站端建造出资力度扩展，国内需求将大于国外。据相关券商估计，2020年5G新建基站有望到达80w座以上，其间大部分将以“宏基站为主，小基站为辅”的组网方法。在射频端高频高速的布景下，第三代半导体资料的浸透率将会大幅提高。据 Yole 的猜测，2023年GaN RF 在基站中的商场规模将到达5.2亿美元，年复合增加率到达 22.8%。未来跟着 GaN 技能进步和规模化开展，GaN PA浸透率有望不断提高。

　　从消费电子快充商场来看，未来随快充需求与GaN浸透率不断提高，2022年商场规模有望到达87.74亿元。跟着 5G 手机各类参数不断提高，内部射频、处理器、屏幕的耗电量在直线上升，电子产品对快充的需求日益提高。多家厂商发布 GaN 快充后，现在的价格大部分用户现已能够承受，未来浸透率有望逐渐提高。

　　新能源车方面，新能源轿车商场拐点已至，GaN功率器材空间可期。第三代半导体资料功率器材关于电机、电控、电池三大中心元件的功率提高具有重要意义。而新能源轿车是电力电子设备商场的首要驱动力。

　　在新能源车型中，现在混动新能源轿车占新能源轿车总量的80%以上，电机与电控是中心元器材。GaN可用于48VDC/DC电源以及OBC车载充电机。据 Yole 的猜测，2023年该范畴的商场规模将到达2500万美元。回来搜狐，检查更多