火狐体育首页进入:打破美日独占国内首条氮化镓激光器芯片出产线投产！

　　据广西北部新区音讯， 3月23日，我国首条“氮化镓激光器芯片”出产线在广西柳州市北部生态新区正式投产，完成了该类芯片的进口代替和自主可控。

　　2020年9月，全球最大氮化镓芯片工厂在姑苏建成投产。2022年2月，中科46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓芯片，到达世界最高水平。现在，国内的快速充电器遍及用上了氮化镓芯片。

　　★2005年12月，德国半导体公司Infineon出产出世界上第一颗氮化镓芯片。

　　★2008年8月，美国科锐公司（Cree）出产出世界上第一个商业化的氮化镓芯片。

　　★2017年11月，英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研制的我国首条8英寸硅基氮化镓出产线月，我国首条氮化镓激光器芯片出产线在广西投产。

　　该氮化镓激光器现在掩盖近紫外（375 nm）至绿光（532 nm）的波长规模，比较于传统半导体激光器，氮化镓激光器具有光谱规模广、热调制频率高、稳定性好等优势，在照明、显现、金属加工、国防、航天航空、量子通讯等范畴有广泛用处。

　　该技能来自北京大学研制团队20多年的吃苦攻关，在数十项国家级和省部级科研项目的大力支持下，霸占了氮化镓半导体激光器相关的首要科学和技能问题，建立了芯片制备技能中的8大中心工艺，打破国外企业长时间的技能独占，有力完成“弯道超车”。

　　2021年，开展第三代半导体写入国家“十四五”规划、列为国家战略，作为第三代半导体中最有代表性的氮化镓资料，被广泛地使用于激光显现、电动汽车、5G通讯、航空航天、雷达等重要范畴。现在，全球氮化镓芯片出产首要会集在我国、美国、日本、韩国、德国等国。其间，我国的氮化镓芯片出产企业快速兴起，在全球市场上份量越来越重。

　　现在，全球氮化镓半导体芯片专利申请的第一大技能来历国是日本，占比高达33.22%。其次是我国，占比为28.10%。美国专利申请量排名第三，占比为20.63%。

　　从专利申请趋势上看，我国在2013—2021年期间一向处于氮化镓专利申请数量的抢先地位，且优势较为显着。

　　从全球抢先的氮化镓芯片出产厂家看，第一名：日本住友，市场占有率超越40%；第二名：美国Cree，市场占有率15%；第三名：德国英飞凌，市场占有率10%；第四名：韩国LG，市场占有率6%；第五名：三星，市场占有率为4%。我国抢先的有：华润微、三安光电、士兰微和闻泰科技等。

　　氮化镓芯片和单晶硅芯片都有各自的优势和使用场景。单晶硅芯片是现在最老练、最广泛使用的芯片之一，具有低功耗、高稳定性和低成本等优势。

　　氮化镓芯片则因其高频率、高效率和高功率密度等长处而备受重视，尤其在快速充电、射频功率放大、太阳能电池板等范畴有着广泛的使用远景。

　　因而，氮化镓芯片和单晶硅芯片都有各自的优势和使用场景，并不会彼此替代。在未来的开展中，两者有望彼此弥补，一起推进半导体芯片技能的开展。